Titre :

Power performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on (110) silicon substrate at 40 GHz

Auteur(s) :

Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Rousseau, Michel [Auteur]
Chmielowska, M. [Auteur]
Ramdani, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

490-492

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2013

ISSN :

0741-3106

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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