Polytypism in III-V nanowires
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Polytypism in III-V nanowires
Author(s) :
Lehmann, S. [Auteur]
Dick, K.A. [Auteur]
Johansson, J. [Auteur]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bolinsson, J. [Auteur]
Messing, M.E. [Auteur]
Jacobsson, D. [Auteur]
Deppert, K. [Auteur]
Samuelson, L. [Auteur]
Dick, K.A. [Auteur]
Johansson, J. [Auteur]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bolinsson, J. [Auteur]
Messing, M.E. [Auteur]
Jacobsson, D. [Auteur]
Deppert, K. [Auteur]
Samuelson, L. [Auteur]
Conference title :
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2011
City :
Traunkirchen
Country :
Autriche
Start date of the conference :
2011
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :