Title :

Stress-mediated magnetoelectric memory effect with uni-axial TbCo2/FeCo multilayer on 011-cut PMN-PT ferroelectric relaxor

Author(s) :

Dusch, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tiercelin, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Klimov, A. [Auteur]
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics [IRE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Giordano, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Preobrazhensky, Vladimir [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pernod, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Journal of Applied Physics

Pages :

17C719

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2013

ISSN :

0021-8979

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

We present here the implementation of a magnetoelectric memory with a voltage driven writing method using a ferroelectric relaxor substrate. The memory point consists of a magnetoelastic element in which two orthogonal ...
Show more >We present here the implementation of a magnetoelectric memory with a voltage driven writing method using a ferroelectric relaxor substrate. The memory point consists of a magnetoelastic element in which two orthogonal stable magnetic states are defined by combining uni-axial anisotropy together with a magnetic polarization in the hard axis direction. Using a ferroelectric relaxor substrate, an anisotropic stress is created in the magnetic element when applying a voltage across electrodes. Because of the inverse magnetostrictive effect, the effective anisotropy of the magnetic element is controlled by the applied voltage and used to switch magnetization from one state to the otherShow less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL