Effect of strain relaxation on the drain ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICEngTechnol.2012.6396129
Title :
Effect of strain relaxation on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMTs
Author(s) :
Bellakhdar, A. [Auteur]
Telia, A. [Auteur]
Semra, L. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
1st International Conference on Engineering and Technology, ICET 2012
City :
Cairo
Country :
Égypte
Start date of the conference :
2012
Book title :
Proceedings of 1st International Conference on Engineering and Technology, ICET 2012
Publication date :
2012
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL