Title :

In0.53Ga0.47As MOSFET with gate-first and gate-last process

Author(s) :

Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012

City :

Porquerolles

Country :

France

Start date of the conference :

2012

Book title :

Proceedings of 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012

Publication date :

2012

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL