Residual stress relaxation in GaN/sapphire ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
URL permanente :
Titre :
Residual stress relaxation in GaN/sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy
Auteur(s) :
Margueron, S.H. [Auteur]
Bourson, P. [Auteur]
Gautier, S. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Troadec, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Sirenko, A.A. [Auteur]
Ougazzaden, A. [Auteur]
Bourson, P. [Auteur]
Gautier, S. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Troadec, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Sirenko, A.A. [Auteur]
Ougazzaden, A. [Auteur]
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :
Date de dépôt :
2021-07-27T15:27:27Z