Properties of GaN and InN films in terahertz range
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Properties of GaN and InN films in terahertz range
Author(s) :
Gauthier-Brun, A. [Auteur]
Teng, J.H. [Auteur]
Liu, W. [Auteur]
Tonouchi, M. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gokarna, A. [Auteur]
Chua, S.J. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Teng, J.H. [Auteur]
Liu, W. [Auteur]
Tonouchi, M. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gokarna, A. [Auteur]
Chua, S.J. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]

Conference title :
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
City :
Villeneuve d'Ascq
Country :
France
Start date of the conference :
2011
Book title :
Proceedings of 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Publication date :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :