50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz
Author(s) :
Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur] refId
Roelens, Yannick [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
City :
Villeneuve d'Ascq
Country :
France
Start date of the conference :
2011
Book title :
Proceedings of 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Publication date :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL