50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz
Author(s) :
Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]

Roelens, Yannick [Auteur]

Zaknoune, Mohammed [Auteur]

Desplanque, Ludovic [Auteur]

Wallart, Xavier [Auteur]

Bollaert, Sylvain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
City :
Villeneuve d'Ascq
Country :
France
Start date of the conference :
2011
Book title :
Proceedings of 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Publication date :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :