Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques
Auteur(s) :
Lacave, Thomas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2011
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :