Titre :

Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors

Auteur(s) :

Saadaoui, S. [Auteur]
Ben Salem, M.M. [Auteur]
Fathallah, O. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]

Titre de la revue :

Physica B: Condensed Matter

Pagination :

126-129

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2013

ISSN :

0921-4526

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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