435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing
Author(s) :
Bouzid, S. [Auteur]
Maher, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lecourt, F. [Auteur]
Renvoise, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Frijlink, P. [Auteur]
Maher, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Hoel, Virginie [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lecourt, F. [Auteur]
Renvoise, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Frijlink, P. [Auteur]
Journal title :
Electronics Letters
Pages :
69-71
Publisher :
IET
Publication date :
2012
ISSN :
0013-5194
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :