Titre :

435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing

Auteur(s) :

Bouzid, S. [Auteur]
Maher, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lecourt, F. [Auteur]
Renvoise, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Frijlink, P. [Auteur]

Titre de la revue :

Electronics Letters

Pagination :

69-71

Éditeur :

IET

Date de publication :

2012

ISSN :

0013-5194

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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