480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT with ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1109/LED.2012.2210187
Title :
480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT with new base isolation µ-airbridge design
Author(s) :
Zaknoune, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mairiaux, E. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur] refId
Waldhoff, N. [Auteur]
Rouchy, U. [Auteur]
Frijlink, P. [Auteur]
Rocchi, M. [Auteur]
Maher, H. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
1381-1383
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2012
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL