150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
Title :
150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin regime on organic substrate
Author(s) :
Lecavelier Des Etangs-Levallois, A. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Danneville, Francois [Auteur]
Poulain, L. [Auteur]
Tagro, Y. [Auteur]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Raynaud, C. [Auteur]
Troadec, david [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]

Danneville, Francois [Auteur]
Poulain, L. [Auteur]
Tagro, Y. [Auteur]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Raynaud, C. [Auteur]
Troadec, david [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
1510-1512
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2011
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :