[Invited paper] InSb nanowire field-effect ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1109/JSTQE.2010.2090135
Title :
[Invited paper] InSb nanowire field-effect transistors and quantum-dot devices
Author(s) :
Nilsson, H.A. [Auteur]
Deng, M.T. [Auteur]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thelander, C. [Auteur]
Samuelson, L. [Auteur]
Wernersson, L.E. [Auteur]
Xu, H.Q. [Auteur]
Journal title :
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
Pages :
907-914
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2011
ISSN :
1077-260X
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL