Time domain analyses of trapping effects ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Time domain analyses of trapping effects of AlInN/GaN HEMT devices
Author(s) :
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducatteau, D. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducatteau, D. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]

Medjdoub, Farid [Auteur]

Poisson, M.A. [Auteur]
Conference title :
International Microwave Symposium, IMS 2009, Workshop WWC : Advanced Measurement Techniques, Adapted for Different Memory Effects
City :
Boston, MA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :