AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS)
Author(s) :
Mosbahi, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]
Conference title :
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009
City :
Hammamet
Country :
Tunisie
Start date of the conference :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :