Electrostatic properties of doped silicon ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Electrostatic properties of doped silicon nanocrystals probed by Kelvin force microscopy
Auteur(s) :
Borowik, Lukasz [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kusiaku, Koku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen-Tran, Thuat [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Roca I Cabarrocas, Pere [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Titre de la manifestation scientifique :
Forum des Microscopies à Sonde Locale
Ville :
Neufchâtel
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2009-03-16
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL