Electrostatic properties of doped silicon ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Electrostatic properties of doped silicon nanocrystals probed by Kelvin force microscopy
Author(s) :
Borowik, Lukasz [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kusiaku, Koku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen-Tran, Thuat [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Roca I Cabarrocas, Pere [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Conference title :
Forum des Microscopies à Sonde Locale
City :
Neufchâtel
Country :
France
Start date of the conference :
2009-03-16
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL