Optical properties of GaN epitaxial layers ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Optical properties of GaN epitaxial layers deposited on a low temperature buffer layer of AlN for waveguide applications
Author(s) :
Stolz, A. [Auteur]
Cho, E. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Pavlidis, D. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cho, E. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]

Pavlidis, D. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
5th International Conference for Materials Advanced Technologies, ICMAT 2009, Symposium O: Compound Semiconductor Photonics: Materials, Devices and Integration
City :
_
Country :
Singapour
Start date of the conference :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :