Graphene growth by molecular beam epitaxy ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon face of SiC
Author(s) :
Moreau, E. [Auteur]
Godey, S. [Auteur]
Ferrer, F.J. [Auteur]
Vignaud, D. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avila, J. [Auteur]
Asensio, M.C. [Auteur]
Bournel, F. [Auteur]
Gallet, J.J. [Auteur]
Conference title :
2nd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene, STEG2
City :
Amelia Island, FL
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2010
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL