Strain relaxation by misfit dislocation ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/49378
Titre :
Strain relaxation by misfit dislocation array at the GaSb/GaP interface
Auteur(s) :
El Kazzi, S. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Coinon, C. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wang, Y. [Auteur]
Ruterana, P. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010
Ville :
Berlin
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T17:40:24Z