Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides

Document type :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

Title :

Author(s) :

Nodjiadjim, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Publication date :

2009

Language :

Français

Collections :

Source :

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