Vertical profile optimization for +400 GHz ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/BIPOL.2010.5667965
Title :
Vertical profile optimization for +400 GHz fMAX Si/SiGe:C HBTs
Author(s) :
Lacave, T. [Auteur]
Chevalier, P. [Auteur]
Campidelli, Y. [Auteur]
Buczko, M. [Auteur]
Depoyan, L. [Auteur]
Berthier, L. [Auteur]
Avenier, G. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chantre, A. [Auteur]
Conference title :
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2010
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL