Titre :

Effect of on band alignment of compressively strained Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz/GaAs quantum well structures

Auteur(s) :

Aissat, A. [Auteur]
Nacer, S. [Auteur]
Seghilani, M. [Auteur]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Pagination :

40-44

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2010

ISSN :

1386-9477

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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