Effects of the drain width on the electrical ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Effects of the drain width on the electrical behavior of deep defect in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
Author(s) :
Fathallah, O. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Saadaoui, S. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Saadaoui, S. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Maaref, H. [Auteur]
Conference title :
27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :