Role of the gate-to-drain distance in the ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/ASDAM.2010.5666325
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/49723
Title :
Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
Author(s) :
Kuzmik, J. [Auteur]
Ostermaier, C. [Auteur]
Pozzovivo, G. [Auteur]
Basnar, B. [Auteur]
Schrenk, W. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Gaquière, C. [Auteur]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Strasser, G. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Gornik, E. [Auteur]
Conference title :
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010
Country :
Slovaquie
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T18:05:42Z