High transconductance AlGaN/GaN HEMT with ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ESSDERC.2010.5618362
Title :
High transconductance AlGaN/GaN HEMT with thin barrier on Si(111) substrate
Author(s) :
Lecourt, F. [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Defrance, N. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bouzid, S. [Auteur]
Renvoise, M. [Auteur]
Smith, D. [Auteur]
Maher, H. [Auteur]
Conference title :
40th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2010
Country :
Espagne
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL