AlGaN/GaN high electron mobility transistors ...
Document type :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
Title :
AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources
Author(s) :
El Fatimy, A. [Auteur]
Cardiff University
Tohoku University [Sendai]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Meziani, Y. [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Otsuji, T. [Auteur]
Tohoku University [Sendai]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M.A. [Auteur]
Thales Research and Technologies [Orsay] [TRT]
Delage, S. [Auteur]
Thales Research and Technologies [Orsay] [TRT]
Pristawko, P. [Auteur]
Institute of High Pressure Physics [Warsaw] [IHPP]
Skierbiszewski, C. [Auteur]
Institute of High Pressure Physics [Warsaw] [IHPP]
Cardiff University
Tohoku University [Sendai]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Meziani, Y. [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Otsuji, T. [Auteur]
Tohoku University [Sendai]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M.A. [Auteur]
Thales Research and Technologies [Orsay] [TRT]
Delage, S. [Auteur]
Thales Research and Technologies [Orsay] [TRT]
Pristawko, P. [Auteur]
Institute of High Pressure Physics [Warsaw] [IHPP]
Skierbiszewski, C. [Auteur]
Institute of High Pressure Physics [Warsaw] [IHPP]
Journal title :
Journal of Applied Physics
Pages :
024504
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2010
ISSN :
0021-8979
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
English abstract : [en]
We report on room temperature terahertz generation by a submicron size AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors. The emission peak is found to be tunable by the gate voltage between 0.75 and 2.1 THz. Radiation ...
Show more >We report on room temperature terahertz generation by a submicron size AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors. The emission peak is found to be tunable by the gate voltage between 0.75 and 2.1 THz. Radiation frequencies correspond to the lowest fundamental plasma mode in the gated region of the transistor channel. Emission appears at a certain drain bias in a thresholdlike manner. Observed emission is interpreted as a result of Dyakonov–Shur plasma wave instability in the gated two-dimensional electron gas.Show less >
Show more >We report on room temperature terahertz generation by a submicron size AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors. The emission peak is found to be tunable by the gate voltage between 0.75 and 2.1 THz. Radiation frequencies correspond to the lowest fundamental plasma mode in the gated region of the transistor channel. Emission appears at a certain drain bias in a thresholdlike manner. Observed emission is interpreted as a result of Dyakonov–Shur plasma wave instability in the gated two-dimensional electron gas.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :
Files
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