Mapping charge transfers between quantum ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Mapping charge transfers between quantum levels using noncontact atomic force microscopy
Auteur(s) :
Borowik, Lukasz [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kusiaku, Koku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen-Tran, Thuat [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Roca I Cabarrocas, Pere [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kusiaku, Koku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen-Tran, Thuat [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Roca I Cabarrocas, Pere [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Titre de la revue :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pagination :
073302-1-4
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2010-08-06
ISSN :
1098-0121
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical ...
Lire la suite >We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical coupling. A two-level system is studied, consisting of degenerately doped silicon nanocrystals on silicon substrates, with size in the 2–50 nm range, in which the energy spacing is tuned by the nanocrystal quantum confinement over a ≈1 eV range. The nanocrystal ionization is found to follow an energy compensation mechanism driven by quantum confinement, in quantitative agreement with parametrized tight-binding calculations of its band structureLire moins >
Lire la suite >We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical coupling. A two-level system is studied, consisting of degenerately doped silicon nanocrystals on silicon substrates, with size in the 2–50 nm range, in which the energy spacing is tuned by the nanocrystal quantum confinement over a ≈1 eV range. The nanocrystal ionization is found to follow an energy compensation mechanism driven by quantum confinement, in quantitative agreement with parametrized tight-binding calculations of its band structureLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :