Mapping charge transfers between quantum ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Mapping charge transfers between quantum levels using noncontact atomic force microscopy
Author(s) :
Borowik, Lukasz [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kusiaku, Koku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen-Tran, Thuat [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Roca I Cabarrocas, Pere [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kusiaku, Koku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen-Tran, Thuat [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Roca I Cabarrocas, Pere [Auteur]
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] [LPICM]
Journal title :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pages :
073302-1-4
Publisher :
American Physical Society
Publication date :
2010-08-06
ISSN :
1098-0121
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical ...
Show more >We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical coupling. A two-level system is studied, consisting of degenerately doped silicon nanocrystals on silicon substrates, with size in the 2–50 nm range, in which the energy spacing is tuned by the nanocrystal quantum confinement over a ≈1 eV range. The nanocrystal ionization is found to follow an energy compensation mechanism driven by quantum confinement, in quantitative agreement with parametrized tight-binding calculations of its band structureShow less >
Show more >We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical coupling. A two-level system is studied, consisting of degenerately doped silicon nanocrystals on silicon substrates, with size in the 2–50 nm range, in which the energy spacing is tuned by the nanocrystal quantum confinement over a ≈1 eV range. The nanocrystal ionization is found to follow an energy compensation mechanism driven by quantum confinement, in quantitative agreement with parametrized tight-binding calculations of its band structureShow less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :