High-speed programming of nanowire-gated ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
High-speed programming of nanowire-gated carbon-nanotube memory devices
Auteur(s) :
Agnus, G. [Auteur]
Filoramo, A. [Auteur]
Lenfant, Stephane [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bourgoin, J.P. [Auteur]
Derycke, Vincent [Auteur]
Filoramo, A. [Auteur]
Lenfant, Stephane [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bourgoin, J.P. [Auteur]
Derycke, Vincent [Auteur]
Titre de la revue :
Small
Pagination :
2659-2663
Éditeur :
Wiley-VCH Verlag
Date de publication :
2010
ISSN :
1613-6810
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://api.istex.fr/document/FF0C8929F7360EE72F30977F35336AE33DDD7C9E/fulltext/pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/document/FF0C8929F7360EE72F30977F35336AE33DDD7C9E/fulltext/pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/document/FF0C8929F7360EE72F30977F35336AE33DDD7C9E/fulltext/pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/document/FF0C8929F7360EE72F30977F35336AE33DDD7C9E/fulltext/pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/document/FF0C8929F7360EE72F30977F35336AE33DDD7C9E/fulltext/pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/document/FF0C8929F7360EE72F30977F35336AE33DDD7C9E/fulltext/pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- Accès libre
- Accéder au document
- fulltext.pdf
- Accès libre
- Accéder au document