Polarized Photoluminescence From Nonpolar ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1063/1.3295362
Titre :
Polarized Photoluminescence From Nonpolar (11-20) (Ga,In)N Multi-Quantum-Wells
Auteur(s) :
Gühne, T. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur] orcid refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nemoz, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chmielowski, R. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bretagnon, Thierry [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Gil, Bernard [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Leroux, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Titre de la manifestation scientifique :
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
Ville :
Rio de Janeiro
Pays :
Brésil
Date de début de la manifestation scientifique :
2008-07-27
Date de publication :
2010-01-04
Mot(s)-clé(s) :
Semiconducteurs
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Autre [cond-mat.other]
Résumé en anglais : [en]
Nonpolar (11-20) (Ga,In)N multi-quantum wells have been studied by polarized, temperature dependent photoluminescence (PL). A non monotonic temperature dependence of the difference in PL peak energies recorded for E parallel ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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