Terahertz imaging using high electron ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Title :
Terahertz imaging using high electron mobility transistors as plasma wave detectors
Author(s) :
Nadar, S. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, D. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Sakowicz, M. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Videlier, H. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Peiris, J.-M. [Auteur]
Lyonnet, J. [Auteur]
Seliuta, D. [Auteur]
Kasalynas, I. [Auteur]
Valusis, G. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M.-A. [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, D. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Sakowicz, M. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Videlier, H. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Peiris, J.-M. [Auteur]
Lyonnet, J. [Auteur]
Seliuta, D. [Auteur]
Kasalynas, I. [Auteur]
Valusis, G. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M.-A. [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Conference title :
15th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XV) Vilnius Univ, Vilnius, LITHUANIA
Country :
Lituanie
Start date of the conference :
2009-06-15
Book title :
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS
Publication date :
2009-12
English keyword(s) :
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
SUBTERAHERTZ RADIATION
SUBTERAHERTZ RADIATION
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
English abstract : [en]
Two experiments demonstrate that high electron mobility transistors (HEMTs) are well suited for terahertz (THz) imaging. We have shown that HEMTs can be effectively used as plasma wave detectors in a THz imaging system at ...
Show more >Two experiments demonstrate that high electron mobility transistors (HEMTs) are well suited for terahertz (THz) imaging. We have shown that HEMTs can be effectively used as plasma wave detectors in a THz imaging system at frequencies higher than 1 THz at room temperature and this device are sensitive to the polarization direction of THz radiation.Show less >
Show more >Two experiments demonstrate that high electron mobility transistors (HEMTs) are well suited for terahertz (THz) imaging. We have shown that HEMTs can be effectively used as plasma wave detectors in a THz imaging system at frequencies higher than 1 THz at room temperature and this device are sensitive to the polarization direction of THz radiation.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :
Files
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