VRAM : A quasi non volatile low power memory cell
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
VRAM : A quasi non volatile low power memory cell
Author(s) :
Bossu, G. [Auteur]
Ranica, R. [Auteur]
Villaret, A. [Auteur]
Charbuillet, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chanemougame, D. [Auteur]
Monfray, S. [Auteur]
Borel, S. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Leverd, F. [Auteur]
Masson, P. [Auteur]
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications [LEAT]
Mazoyer, P. [Auteur]
Ranica, R. [Auteur]
Villaret, A. [Auteur]
Charbuillet, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chanemougame, D. [Auteur]
Monfray, S. [Auteur]
Borel, S. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Leverd, F. [Auteur]
Masson, P. [Auteur]
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications [LEAT]
Mazoyer, P. [Auteur]
Conference title :
IEEE Si Nanoelectronics Workshop A Satellite Conference of the 2006 VLSI Technology Symposium
City :
Honolulu, HI
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2006-06-11
Book title :
IEEE Si Nanoelectronics Workshop A Satellite Conference of the 2006 VLSI Technology Symposium
Publication date :
2006-06
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :