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Modulateur de porteuse optique par plasmons ...
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Document type :
Brevet
Title :
Modulateur de porteuse optique par plasmons de surface, à base de matériaux semiconducteurs
Author(s) :
Huignard, Jean-Pierre [Auteur]
THALES Airborne Systems [Elancourt]
Tripon-Canseliet, Charlotte [Auteur]
Laboratoire d'Electronique et Electromagnétisme [L2E]
Loiseau, Brigitte [Auteur]
THALES Airborne Systems [Elancourt]
Dogheche, El Hadj [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dolfi, Daniel [Auteur]
THALES Airborne Systems [Elancourt]
Decoster, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
THALES Airborne Systems [Elancourt]
Publication date :
2010-06-04
Patent number :
FR2939212 (A1)
French abstract :
L'invention concerne un modulateur de porteuse optique par plasmons de surface, à base de matériaux semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comporte : - un ensemble de couches semiconductrices comportant une structure ...
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L'invention concerne un modulateur de porteuse optique par plasmons de surface, à base de matériaux semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comporte : - un ensemble de couches semiconductrices comportant une structure guidante (21,22,23) pour une onde optique incidente introduite dans ladite structure guidante, ladite structure guidante assurant un confinement asymétrique de ladite onde optique; - un contact électrique (26) dit supérieur de type Schottky destiné à recevoir notamment une excitation à une fréquence permettant la génération d'une onde plasmonique de surface à partir de l'onde optique incidente au niveau de l'interface structure guidante/contact de type Schottky ; - des moyens pour moduler l'indice optique du contact de type Schottky de manière à créer une modulation de l'onde optique réfléchie au niveau de ladite interface.Show less >
Language :
Français
Comment :
n° de priorité : FR20080006766 20081202 ; également publié en tant que : EP2194422 (A1) 2010-06-09 ; FR2939212 (B1) 2010-11-19 ; EP2194422 (B1) 2013-11-13 ; ES2442715 (T3) 2014-02-1
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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