Improvement of the RF power performance ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ISPSD.2009.5158015
Title :
Improvement of the RF power performance of nLDMOSFETs on bulk and SOI substrates with 'ribbon' gate and source contacts layouts
Author(s) :
Fournier, D. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fontaine, Julien [Auteur]
Scheer, P. [Auteur]
Bon, O. [Auteur]
Rauber, B. [Auteur]
Buczko, M. [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Chevalier, P. [Auteur]
Conference title :
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09
Country :
Espagne
Start date of the conference :
2009
Book title :
Proceedings of the 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09
Publisher :
_
Publication date :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL