Study of ohmic contact formation on AlGaN/GaN ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Study of ohmic contact formation on AlGaN/GaN HEMT with AlN spacer on silicon substrate
Auteur(s) :
Gerbedoen, J. [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur] refId
Mattalah, M. [Auteur]
Telia, A. [Auteur]
Traodec, D. [Auteur]
Abdallah, B. [Auteur]
Gautron, E. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2009
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009
Éditeur :
_
Date de publication :
2009
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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