Titre :

InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond

Auteur(s) :

Kohn, E. [Auteur]
Alomari, M. [Auteur]
Denisenko, A. [Auteur]
Dipalo, M. [Auteur]
Maier, D. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Pietzka, C. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Sarazin, N. [Auteur]
Jacquet, J.C. [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Py, M. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Kuzmik, J. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Pozzovivo, G. [Auteur]
Ostermaier, C. [Auteur]
Toth, L. [Auteur]
Pecz, B. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Cico, K. [Auteur]
Fröhlich, K. [Auteur]
Kermaidis, A. [Auteur]
Iliopoulos, E. [Auteur]
Konstantinidis, G. [Auteur]
Giessen, C. [Auteur]
Heuken, M. [Auteur]
Schineller, B. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

International Electron Devices Meeting, IEDM 2009

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2009

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 2009 International Electron Devices Meeting, IEDM 2009

Éditeur :

_

Date de publication :

2009

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL