Comparative study of laterally asymmetric ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SCED.2009.4800439
Title :
Comparative study of laterally asymmetric channel and conventional MOSFETs
Author(s) :
Rengel, R. [Auteur]
Martin, M.J. [Auteur]
Danneville, Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
7th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 09
Country :
Espagne
Start date of the conference :
2009
Book title :
Proceedings of the 7th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 09
Publisher :
_
Publication date :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL