Comparative study of laterally asymmetric ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SCED.2009.4800439
Titre :
Comparative study of laterally asymmetric channel and conventional MOSFETs
Auteur(s) :
Rengel, R. [Auteur]
Martin, M.J. [Auteur]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
7th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 09
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2009
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 7th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 09
Éditeur :
_
Date de publication :
2009
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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