AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

Type de document :
Article dans une revue scientifique
Titre :
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
Auteur(s) :
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Mattalah, M. [Auteur]
Moreau, M. [Auteur]
Thevenin, P. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Diamond and Related Materials
Pagination :
1039-1042
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2009
ISSN :
0925-9635
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL