Titre :

Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation

Auteur(s) :

Ostermaier, C. [Auteur]
Pozzovivo, G. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Basnar, B. [Auteur]
Schrenk, W. [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cico, K. [Auteur]
Frohlich, K. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Strasser, G. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Kuzmik, J. [Auteur]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

1030-1032

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2009

ISSN :

0741-3106

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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