Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/LED.2009.2029532
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50242
Title :
Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation
Author(s) :
Ostermaier, C. [Auteur]
Pozzovivo, G. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Basnar, B. [Auteur]
Schrenk, W. [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Gaquiere, C. [Auteur]
Dejaeger, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cico, K. [Auteur]
Frohlich, K. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Strasser, G. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Kuzmik, J. [Auteur]
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T18:51:49Z