12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/LED.2009.2014791
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50249
Title :
12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET
Author(s) :
Vandenbrouck, S. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Theron, D. [Auteur]
Dong, Y.J. [Auteur]
Li, Y. [Auteur]
Lieber, C.M. [Auteur]
Gaquiere, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T18:52:27Z