AlGaN/GaN HEMT high power densities on ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates
Author(s) :
Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Rousseau, Michel [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Thorpe, J. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]

Hoel, Virginie [Auteur]

Douvry, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Tang, Xing [Auteur]
Rousseau, Michel [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Thorpe, J. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
596-598
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2009
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :