Novel bondpad report process for III-V ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.mee.2008.09.043
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50297
Title :
Novel bondpad report process for III-V semiconductor devices using full HSQ properties
Author(s) :
Zegaoui, M. [Auteur]
Choueib, N. [Auteur]
Tilmant, P. [Auteur]
Francois, M. [Auteur]
Legrand, C. [Auteur]
Chazelas, J. [Auteur]
Decoster, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T18:56:16Z