Si nanowire ion-sensitive field-effect ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1063/1.3123002
Title :
Si nanowire ion-sensitive field-effect transistors with a shared floating gate
Author(s) :
Nishiguchi, K. [Auteur]
Clement, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yamaguchi, T. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
163106-1-3
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2009
ISSN :
0003-6951
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL