UHV fabrication of the ytterbium silicide ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1149/1.3118961
Title :
UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET
Author(s) :
Yarekha, Dmitri [Auteur] refId
Larrieu, G. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur] refId
Godey, Sylvie [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Soyer, Caroline [Auteur] refId
Remiens, Denis [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Reckinger, N. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Halimaoui, A. [Auteur]
Journal title :
ECS Transactions
Pages :
339-344
Publisher :
Electrochemical Society, Inc.
Publication date :
2009
ISSN :
1938-5862
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL