Titre :

Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs

Auteur(s) :

Larrieu, G. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Breil, N. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Reckinger, N. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Tang, Xing [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Halimaoui, A. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Titre de la revue :

ECS Transactions

Pagination :

201-207

Éditeur :

Electrochemical Society, Inc.

Date de publication :

2009

ISSN :

1938-5862

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Résumé en anglais : [en]

The paper focuses on specific issues associated to rare earth silicide integration on UTB-SOI substrate with a particular attention to erbium and ytterbium silicides. Due to the limited Si source, defects generation on SOI ...
Lire la suite >The paper focuses on specific issues associated to rare earth silicide integration on UTB-SOI substrate with a particular attention to erbium and ytterbium silicides. Due to the limited Si source, defects generation on SOI is prevented compared to bulk substrate. Reaction of RE with dielectric materials limits the temperature of silicidation. It is shown that RE S/D MOSFETs are still limited in current-drive by the Schottky barrier heightLire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL