AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.diamond.2009.02.018
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50451
Titre :
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
Auteur(s) :
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, A. [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mattalah, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Moreau, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Thevenin, P. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2009
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Gate dielectric
HBN thin film
HEMTs
MISHEMTs
Discipline(s) HAL :
Chimie/Matériaux
Résumé en anglais : [en]
Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T19:09:40Z