Titre :

THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors

Auteur(s) :

Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, D. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Levinshtein, M.E. [Auteur]
Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

V International Conference “Basic Problems of Optics

Ville :

St Petersburg

Pays :

Russie

Date de début de la manifestation scientifique :

2008

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of V International Conference “Basic Problems of Optics

Date de publication :

2008

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL