Transistor MOS pour circuits à haute densité ...
Document type :
Brevet
Title :
Transistor MOS pour circuits à haute densité d'intégration
Author(s) :
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2001-08-24
Patent number :
FR2805395 (A1)
Language :
Français
Comment :
n° de priorité : FR20000002237 20000223 ; également publié en tant que : FR2805395 (B1) 2002-05-10 ; EP1258042 (A1) 2002-11-20 ; CA2399115 (A1) 2002-08-30 ; WO0163677 (A1) 2001-08-30 ; US2003094629 (A1) 2003-05-22 ; US6774451 (B2) 2004-08-10 ; AU3748301 (A) 2001-09-03 ; JP2003524899 (A) 2003-08-19 ; CA2399115 (C) 2009-10-13 ; JP5090601 (B2) 2012-12-05
Source :