Titre :

Transistor MOS pour circuits à haute densité d'intégration

Auteur(s) :

DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Date de publication :

2001-08-24

Numéro du brevet :

FR2805395 (A1)

Langue :

Français

Commentaire :

n° de priorité : FR20000002237 20000223 ; également publié en tant que : FR2805395 (B1) 2002-05-10 ; EP1258042 (A1) 2002-11-20 ; CA2399115 (A1) 2002-08-30 ; WO0163677 (A1) 2001-08-30 ; US2003094629 (A1) 2003-05-22 ; US6774451 (B2) 2004-08-10 ; AU3748301 (A) 2001-09-03 ; JP2003524899 (A) 2003-08-19 ; CA2399115 (C) 2009-10-13 ; JP5090601 (B2) 2012-12-05

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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